拋光劑的化學蝕刻最佳配方和工藝參數(shù)為：FeCl3660～850g/L、HCl（36%）8～20mL/L，添加劑10～20g/L，溫度45～50℃。在此條件下，蝕刻速度為10～20μm/h，蝕刻時間根據(jù)圖紋具體深度而定。化學拋光最佳配方和工藝參數(shù)為：硝酸（65%）15～40mL/L，鹽酸（36.5%）60～100mL/L，磷酸（85%）20～45mL/L，復合光亮劑1～5g/L，緩蝕劑0.2～2g/L，增稠劑2～20g/L，拋光溫度為25～40℃，拋光劑的拋光時間為1～5h。在此條件下，可以獲得光亮如鏡的拋光面。電鍍鉻最佳工藝：鉻酐230～270g/L，硫酸2.3～2.7g/L，三價鉻<5g/L，陰極電流密度50～60A/dm2，溫度55～60℃。鉻酐在電鍍鉻溶液中不僅起到穩(wěn)定鍍液的作用，而且對pH也有一定的緩沖作用，從而使得鍍層厚度可持續(xù)增加相關(guān)搜索：拋光劑 如果你想了解更多，請點擊 http://www.jetsplus.cn/news.html
