拋光漿的優(yōu)劣決定于拋光后試樣表面的質(zhì)量。因此評(píng)價(jià)各種拋光方法必須確定比較拋光面質(zhì)量的標(biāo)準(zhǔn),比較最后拋光表面的反光能力是判斷拋光表面質(zhì)量的靈敏方法。這個(gè)方法是把晶體的解理表面,或在超真空下成長(zhǎng)的單晶體表面作為理想表面;把最后拋光表面測(cè)試所得的反光能力與其理想表面測(cè)試所得反光能力比較,用其平均偏差大小來(lái)表示拋光表面的質(zhì)量。表面反光能力愈小,質(zhì)量愈差。 |